100W 7200-7400MHz GaN RF پاور ایمپلیفائر ماڈیول
یہ 7200–7400 MHz GaN RF پاور ایمپلیفائر ماڈیول 100 W کلاس میں پیش کیا جاتا ہے، جس کی زیادہ سے زیادہ پیداوار 50 ± 1 dBm ہے۔ اس کا 150 × 80 × 22 ملی میٹر فارمیٹ ان منصوبوں کے لیے موزوں ہے جہاں انکلوژر کے طول و عرض اور دستیاب بڑھتے ہوئے جگہ کی ابتدائی وضاحت کی جانی چاہیے۔ آپریٹنگ درجہ حرارت کی حد −20 سے +65 ڈگری ہے۔
ماڈیول کی ترتیب اور انتخاب
ماڈیول 24-28 V DC سپلائی کا استعمال کرتا ہے اور اس میں پاور آن/آف LED اشارے شامل ہیں۔ ایک قابل کنٹرول وائر اختیاری ہے اور کنفیگریشن کا انتخاب کرتے وقت اس کی وضاحت ہونی چاہیے۔ میٹنگ ہارڈویئر کو منتخب کرنے سے پہلے حتمی یونٹ کے خلاف RF کنیکٹر ورژن کی تصدیق کریں۔ کنیکٹر کی ترتیب دکھائے گئے ورژن کے درمیان مختلف ہو سکتی ہے۔ جدول مصنوعات کے موازنہ کے لیے فراہم کردہ الیکٹریکل اور مکینیکل ڈیٹا کو ایک ساتھ رکھتا ہے۔
تکنیکی وضاحتیں
| تعدد کی حد | 7200–7400 میگاہرٹز |
|---|---|
| برائے نام آؤٹ پٹ پاور | 100 W |
| مخصوص زیادہ سے زیادہ آؤٹ پٹ | 50 ± 1 ڈی بی ایم |
| یمپلیفائر ٹیکنالوجی | GaN |
| سپلائی وولٹیج | 24-28 V DC |
| طول و عرض | 150 × 80 × 22 ملی میٹر |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | −20 سے +65 ڈگری |
| کنٹرول | اختیاری قابل کنٹرول تار |
| اشارے | پاور آن/آف ایل ای ڈی |
پروڈکٹ کے نظارے۔
ڈاؤن لوڈ، اتارنا ٹیگ: 100W RF یمپلیفائر، 7200-7400MHz پاور ایمپلیفائر، GaN RF ماڈیول، ہائی فریکوئنسی یمپلیفائر
